Tin Khoa học Công nghệ quốc tế

Sử dụng vệ tinh và nghiên cứu thực địa để cải thiện việc phục hồi rạn san hô

21/12/2020 | 0
Một nghiên cứu gần đây đã tìm thấy bằng chứng cho thấy mức các-bon hữu cơ không tan (POC) là một trong những yếu tố quan trọng nhất đối với khả năng sống sót của san hô.

Các hệ sinh thái rạn san hô trên hành tinh của chúng ta đang đứng trước nhiều mối đe dọa. CO2 do con người gây ra đã làm tăng nhiệt độ trung bình của mặt biển trên toàn cầu, đẩy sự tồn tại của rạn san hô vượt qua giới hạn nhiệt của nó. Sự phát triển ven biển từ công nghiệp, nuôi trồng thủy sản và cơ sở hạ tầng tạo ra trầm tích và tăng độ đục ở vùng nước ven biển, từ đó làm tăng mức các-bon hữu cơ không tan (POC). Ngoài ra, trầm tích làm giảm bức xạ quang hợp (PAR), ánh sáng mặt trời rất cần thiết đối với tảo cộng sinh mà san hô dựa vào để làm thức ăn.

Với việc hầu hết các rạn san hô trên thế giới đều đang bị căng thẳng, “trồng cấy san hô” đã trở thành một giải pháp phổ biến và đầy hứa hẹn để phục hồi. “Trồng cấy san hô” bao gồm việc cấy các mảnh san hộ được ươm trong vườn ươm lên các rạn san hô bị thoái hóa. Khi thành công, việc nuôi cấy giúp xây dựng các sinh khối san hô và phục hồi chức năng của rạn san hô; nhưng ngay cả với hàng ngàn san hô được trồng cấy mỗi năm, kết quả vẫn khác nhau. San hô mới được cấy đặc biệt dễ bị tổn thương bởi các tác nhân như ô nhiễm, điều kiện ánh sáng không thuận lợi và biến động nhiệt độ. Do đó, việc xác định yếu tố nào có ảnh hưởng lớn nhất đến sức khỏe và sự tồn tại của san hô là rất quan trọng để đảm bảo phục hồi rạn san hô thành công.

Một nghiên cứu gần đây được công bố trên Tạp chí Restoration Ecology của các nhà nghiên cứu từ Trung tâm Khoa học Khám phá và Bảo tồn Toàn cầu (GDCS) của Đại học Bang Arizona, Hoa Kỳ đã tìm thấy bằng chứng cho thấy mức POC là một trong những yếu tố quan trọng nhất trong việc xác định sự sống sót của san hô. Phát hiện này cho thấy rằng các địa điểm trồng cấy san hô tiềm năng nên được lựa chọn ở những khu vực có mức độ bồi lắng thấp, xa vùng phát triển ven biển hoặc những vùng phát triển ven biển được quản lý cẩn thận cho việc bảo tồn rạn san hô.

“Các quy trình phục hồi mới có thể sử dụng dữ liệu cảm biến từ xa của nhiều biến số hải dương học để đánh giá lịch sử môi trường của một địa điểm. Điều này sẽ giúp đánh giá và tối ưu hóa việc lựa chọn địa điểm và mang lại cơ hội sống sót cao nhất cho những cây san hô được trồng cấy”, Shawna Foo, tác giả chính và là nghiên cứu sinh sau tiến sĩ tại GDCS cho biết.

Nghiên cứu dựa trên phân tích các dự án trồng cấy san hô trên toàn thế giới từ năm 1987 đến năm 2019. Nhóm nghiên cứu đã đánh giá dữ liệu vệ tinh trên nhiều biến số hải dương học bao gồm POC, PAR, độ mặn, nhiệt độ bề mặt biển và dòng chảy bề mặt để định lượng và đánh giá tầm quan trọng tương đối của từng tác nhân đến sự tồn tại của san hô.

“Kết quả nghiên cứu của chúng tôi lần đầu tiên cung cấp một loạt các điều kiện rõ ràng cần thiết để tối đa hóa khả năng thành công của các nỗ lực phục hồi san hô”, Greg Asner, đồng tác giả của nghiên cứu và là Giám đốc của GDCS cho biết.

Đáng chú ý, các nhà nghiên cứu đã quan sát thấy tỷ lệ sống sót tốt hơn đối với rạn san hô được trồng cấy ở xa bờ biển hơn 6km. Phát hiện này có ý nghĩa bởi nhiều mô hình dự báo phục hồi thường đặt rạn san hô gần bờ biển cho các mục đích tiếp cận, chẳng hạn như hoạt động lặn. Các nhà nghiên cứu cũng phát hiện thấy san hô phục hồi tốt hơn ở vùng nước sâu hơn 6 mét; san hô được nuôi ở vùng nước nông cho thấy khả năng bị tổn thương cao hơn. Nhìn chung, các vùng san hô có cơ hội sống sót cao nhất là những vùng có PAR ổn định, mức POC thấp hơn, nhiệt độ bất thường là tối thiểu, độ sâu của nước tăng và khoảng cách xa đất liền. Các nhà nghiên cứu lưu ý rằng việc tìm kiếm các địa điểm để phục hồi rạn san hô có thể là thách thức ở một số khu vực, nhưng việc xem xét tổng thế tất cả các yếu tốt liên quan sẽ giúp ích rất nhiều cho cơ hội sống sót của san hô được trồng cấy.

Nguồn dịch và biên tập: https://asunow.asu.edu/20201110-new-study-uses-satellites-and-field-studies-improve-coral-reef-restoration

VPTC